化學(xué)氣相蒸鍍法是將構(gòu)成鍍膜元素的一種或幾種化合物、單質(zhì)氣體供給基材，借助氣相作用或在基材表面的化學(xué)反應(yīng)生成要求的薄膜。CVD反應(yīng)機(jī)理為首先反應(yīng)物質(zhì)到達(dá)基材表面，緊接著反應(yīng)氣體分子被基材表面吸附，并在基材表面上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)、形核，生成物在基材表面擴(kuò)散成膜。

普通氣體分子是電中性的物質(zhì)，顯示出絕緣性。但在電離狀態(tài)下氣體分子產(chǎn)生大量電子和正負(fù)離子，成為導(dǎo)電性的電離氣體。在電離氣體中正電核和負(fù)電核相互發(fā)生激烈的作用，結(jié)果正電荷密度和負(fù)電荷密度幾乎相等，成為電中性狀態(tài)，這種狀態(tài)即所謂等離子氣體。當(dāng)對(duì)低壓容器中的氣體加上電場時(shí)，存在于氣體中的極少數(shù)電子被加速，在低壓下其平均自由程大，很容易被加至高速，與中性原子或分子碰撞，失去能量。如碰撞是彈性的，則中性原子或分子的動(dòng)能增加，氣體溫度上升；如為非彈性碰撞，則原子和分子發(fā)生激化、離解及電離化，結(jié)果產(chǎn)生許多不同離子和原子團(tuán)。這些粒子均是化學(xué)活性的，可生成新粒子并參與反應(yīng)。新生的電子又被加速，與其它原子、分子碰撞，重復(fù)進(jìn)行，氣體急速電離，形成等離子體狀態(tài)。

等離子氣體能促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的作用原理是原料氣體成為等離子狀態(tài)后，變?yōu)榛瘜W(xué)上非?；顫姷募ぐl(fā)態(tài)分子、原子、離子和原子團(tuán)，使原來反應(yīng)速度較慢的化學(xué)反應(yīng)變得更為容易和快速。因而利用PECVD可以在較低的溫度下制出良好的薄膜，熱損失少，抑制了基材的變化，可在非耐熱基材上成膜。從熱力學(xué)上講，在反應(yīng)雖能發(fā)生或可能發(fā)生但速度緩慢的情況下，借助等離子體激發(fā)狀態(tài)，可促進(jìn)反應(yīng)，從而可以開發(fā)出平衡狀態(tài)下不能形成的組成比結(jié)構(gòu)新材料。

為了比較不同氧化物鍍膜后獲得的材料的阻隔性能，在實(shí)驗(yàn)室我們探索了各種鍍膜技術(shù)方法對(duì)最終產(chǎn)品質(zhì)量的影響，發(fā)現(xiàn)在同一蒸鍍條件下不同原料、不同蒸鍍方法對(duì)非金屬鍍膜微波食品包裝材料的阻隔性能影響最為明顯。復(fù)合蒸鍍SiO鍍膜具有優(yōu)良的阻隔性能，但鍍膜在大氣環(huán)境中不太穩(wěn)定。根據(jù)一切自由化學(xué)反應(yīng)都是朝吉布斯自由能降低方向進(jìn)行的原理，SiO趨向生成自由能更低的SiO2。影響非金屬真空鍍膜材料阻隔性能的因素還有基材的表面處理、真空度、蒸鍍速度等，但最重要的還是蒸鍍?cè)吓c方法，并且具有相同的規(guī)律性。